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- 出願人詳細情報 -
出願人名に「ソイテック」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特表 2012-533906 | 量子ドット構造および関連構造を用いる半導体構造体および半導体デバイスの製造方法 | ソイテック | 2012年12月27日 |
| 特表 2012-531052 | 亜鉛、シリコン、および、酸素に基づいた結合層を用いて結合する方法および対応する構造 | ソイテック | 2012年12月 6日 |
| 特開 2012-238873 | 分子接合による結合のためのプロセスおよび装置 | ソイテック | 2012年12月 6日 |
| 特開 2012-238373 | スイッチトランジスタを有しない差動センス増幅器 | ソイテック | 2012年12月 6日 |
| 特表 2012-530370 | 分子結合による結合方法 | ソイテック | 2012年11月29日 |
| 特開 2012-230754 | 専用プリチャージトランジスタを有しない差動センスアンプ | ソイテック | 2012年11月22日 |
| 特開 2012-230755 | スイッチトランジスタを有しない差動センス増幅器 | ソイテック | 2012年11月22日 |
| 特開 2012-212906 | 低いホール密度を有する薄層を得るための方法 | ソイテック | 2012年11月 1日 |
| 特開 2012-199550 | 絶縁体上の半導体タイプの基板のためのベース基板を製造する方法 | ソイテック | 2012年10月18日 |
| 特開 2012-198975 | ローカル列デコーダに関連付けられた互い違いに配置されたセンスアンプを有する半導体メモリ | ソイテック | 2012年10月18日 |
| 特表 2012-524420 | シリコンオンインシュレータ基板を薄化する方法 | ソイテック | 2012年10月11日 |
| 特開 2012-191170 | Ｇｅ・オン・ＩＩＩ／Ｖ族・オン・インシュレータ構造を形成するための方法 | ソイテック | 2012年10月 4日 |
| 特開 2012-191173 | 半導体オンインシュレータの構造を処理するための方法 | ソイテック | 2012年10月 4日 |
| 特開 2012-191176 | 真性半導体層を備えたウェーハ | ソイテック | 2012年10月 4日 |
| 特開 2012-186478 | 化学気相成長チャンバ用の温度制御されたパージゲート弁 | ソイテック | 2012年 9月27日 |
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2012-533906 2012-531052 2012-238873 2012-238373 2012-530370 2012-230754 2012-230755 2012-212906 2012-199550 2012-198975 2012-524420 2012-191170 2012-191173 2012-191176 2012-186478
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