ソイテックの特許出願公開一覧 2012年

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出願人名に「ソイテック」を含むもの

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公報番号	発明の名称	出願人	公報発行日
特表 2012-533906	量子ドット構造および関連構造を用いる半導体構造体および半導体デバイスの製造方法	ソイテック	2012年12月27日
特表 2012-531052	亜鉛、シリコン、および、酸素に基づいた結合層を用いて結合する方法および対応する構造	ソイテック	2012年12月 6日
特開 2012-238873	分子接合による結合のためのプロセスおよび装置	ソイテック	2012年12月 6日
特開 2012-238373	スイッチトランジスタを有しない差動センス増幅器	ソイテック	2012年12月 6日
特表 2012-530370	分子結合による結合方法	ソイテック	2012年11月29日
特開 2012-230754	専用プリチャージトランジスタを有しない差動センスアンプ	ソイテック	2012年11月22日
特開 2012-230755	スイッチトランジスタを有しない差動センス増幅器	ソイテック	2012年11月22日
特開 2012-212906	低いホール密度を有する薄層を得るための方法	ソイテック	2012年11月 1日
特開 2012-199550	絶縁体上の半導体タイプの基板のためのベース基板を製造する方法	ソイテック	2012年10月18日
特開 2012-198975	ローカル列デコーダに関連付けられた互い違いに配置されたセンスアンプを有する半導体メモリ	ソイテック	2012年10月18日
特表 2012-524420	シリコンオンインシュレータ基板を薄化する方法	ソイテック	2012年10月11日
特開 2012-191170	Ｇｅ・オン・ＩＩＩ／Ｖ族・オン・インシュレータ構造を形成するための方法	ソイテック	2012年10月 4日
特開 2012-191173	半導体オンインシュレータの構造を処理するための方法	ソイテック	2012年10月 4日
特開 2012-191176	真性半導体層を備えたウェーハ	ソイテック	2012年10月 4日
特開 2012-186478	化学気相成長チャンバ用の温度制御されたパージゲート弁	ソイテック	2012年 9月27日

53 件中 1-15 件を表示

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2012-533906 2012-531052 2012-238873 2012-238373 2012-530370 2012-230754 2012-230755 2012-212906 2012-199550 2012-198975 2012-524420 2012-191170 2012-191173 2012-191176 2012-186478

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