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ソイテック

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　■　2021年出願公開件数ランキング　　　第1675位　14件（2020年：第1844位　12件）

　■　2021年特許取得件数ランキング　　　第4240位　3件（2020年：第1779位　9件）

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公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2021-532567	集積された高周波デバイスのための基板及びそれを製造するための方法	2021年11月25日
特表 2021-527954	前面撮像素子及びそのような撮像素子を製造するための方法	2021年10月14日
特表 2021-518320	ＧａＡｓ材料の単結晶層を製造するための方法、及びＧａＡｓ材料の単結晶層をエピタキシャル成長させるための基板	2021年 8月 2日
特表 2021-518321	ＰＺＴ材料の結晶層を製造するための方法、及びＰＺＴ材料の結晶層をエピタキシャル成長させるための基板	2021年 8月 2日
特表 2021-518322	ダイヤモンド又はイリジウム材料の単結晶層を製造するための方法、及びダイヤモンド又はイリジウム材料の単結晶層をエピタキシャル成長させるための基板	2021年 8月 2日
特表 2021-518323	ＬＮＯ材料の単結晶層を生成するための方法、及びＬＮＯ材料の単結晶層をエピタキシャル成長させるための基板	2021年 8月 2日
特表 2021-518324	ＡｌＮ材料の単結晶膜を生成するための方法、及びＡｌＮ材料の単結晶膜をエピタキシャル成長させるための基板	2021年 8月 2日
特表 2021-518663	層を転写するための方法	2021年 8月 2日
特表 2021-517384	表面弾性波デバイス用のハイブリッド構造及び関連する製造方法	2021年 7月15日
特表 2021-516864	高周波用途のための基板及び関連付けられた製造方法	2021年 7月 8日
特表 2021-513735	剥離可能な構造及び前記構造を使用する剥離プロセス	2021年 5月27日
特開 2021-82828	基板の表面の金属汚染物を減少させるための方法	2021年 5月27日
特表 2021-513211	層移転により半導体オンインシュレータ型構造を製造するための方法	2021年 5月20日
特表 2021-511219	微細機械加工素子のアレイを含むデバイスを設計及び製造するためのプロセス、そのようなプロセスの最後に得られるデバイス	2021年 5月 6日

14 件中 1-14 件を表示

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2021-532567 2021-527954 2021-518320 2021-518321 2021-518322 2021-518323 2021-518324 2021-518663 2021-517384 2021-516864 2021-513735 2021-82828 2021-513211 2021-511219

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