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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第1844位 12件 (2019年:第3170位 6件)
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第1779位 9件 (2019年:第2668位 5件)
(ランキング更新日:2024年11月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2020-202391 | 異なる歪み状態を有するフィン構造を含む半導体構造を作製するための方法及び関連する半導体構造 | 2020年12月17日 | |
特表 2020-526006 | 半導体構造物用の支持体を作製する方法 | 2020年 8月27日 | |
特表 2020-526008 | 異なる熱膨張係数を有する支持基板に薄層を移転する方法 | 2020年 8月27日 | |
特表 2020-521353 | 無線周波数回路における信号の歪を最小化するための方法 | 2020年 7月16日 | |
特開 2020-108161 | 基板を製造するための方法 | 2020年 7月 9日 | |
特表 2020-512684 | 光電子デバイスを形成するための成長基板、そのような基板を作製するための方法、及び特にマイクロディスプレイスクリーンの分野における基板の使用 | 2020年 4月23日 | |
特表 2020-511777 | 特に、正面側型撮像装置のための、セミコンダクタオンインシュレータ型構造、及びこのような構造を製作する方法 | 2020年 4月16日 | |
特表 2020-511779 | 光電子デバイスを形成するためのドナー基板を製作するためのプロセス、このプロセスからもたらされる基板の集合 | 2020年 4月16日 | |
特表 2020-509576 | RF用途のための構造体 | 2020年 3月26日 | |
特開 2020-43339 | 枚葉式ウエハ洗浄機においてSOI基板を処理するためのプロセス | 2020年 3月19日 | |
特表 2020-507916 | イオン注入ステップ中のドナー基板の縁部におけるゾーンのマスキング | 2020年 3月12日 | |
特表 2020-504439 | セミコンダクタオンインシュレータ基板の表面を平滑化するためのプロセス | 2020年 2月 6日 |
12 件中 1-12 件を表示
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2020-202391 2020-526006 2020-526008 2020-521353 2020-108161 2020-512684 2020-511777 2020-511779 2020-509576 2020-43339 2020-507916 2020-504439
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11月22日(金) -
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11月22日(金) - 東京 港区
11月22日(金) -
11月22日(金) - 大阪 大阪市
11月22日(金) -
11月22日(金) -
11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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