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- 出願人詳細情報 -
出願人名に「ソイテック」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特表 2013-543276 | 無線周波数用途又は電力用途のための電子装置及びそのような装置を製造するためのプロセス | ソイテック | 2013年11月28日 |
| 特表 2013-541197 | 特定波長の光束を用いて基板を処理する方法および対応する基板 | ソイテック | 2013年11月 7日 |
| 特表 2013-537363 | 犠牲材料を使用して半導体構造体中にウェーハ貫通相互接続部を形成する方法、及びかかる方法により形成される半導体構造体 | ソイテック | 2013年 9月30日 |
| 特表 2013-533621 | 注入および照射により基板を調製する方法 | ソイテック | 2013年 8月22日 |
| 特表 2013-531395 | 分子接着によって２枚のウェーハを互いにボンディングするための方法及び装置 | ソイテック | 2013年 8月 1日 |
| 特開 2013-149991 | 絶縁埋め込み層に帯電領域を有する基板 | ソイテック | 2013年 8月 1日 |
| 特表 2013-524513 | ＩＩＩ−Ｖ半導体構造およびＩＩＩ−Ｖ半導体構造を形成する方法 | ソイテック 他 | 2013年 6月17日 |
| 特表 2013-522896 | セミコンダクタオンインシュレータ型の基板の仕上げ処理方法 | ソイテック | 2013年 6月13日 |
| 特表 2013-520829 | 多層構造体の表面に存在する材料の断片を除去する方法 | ソイテック | 2013年 6月 6日 |
| 特表 2013-518401 | 多層ウェーハ内の不均一変形の評価のためのシステム及び方法 | ソイテック | 2013年 5月20日 |
| 特開 2013-80917 | シリコンオンインシュレーター構造体の製造方法 | ソイテック | 2013年 5月 2日 |
| 特表 2013-513963 | 基板を再利用する方法 | ソイテック | 2013年 4月22日 |
| 特表 2013-513234 | 電気的損失が低減した半導体オンインシュレータタイプの構造の製造プロセス及び対応する構造 | ソイテック | 2013年 4月18日 |
| 特表 2013-511834 | ガラスボンディング層を使用して半導体構造及び半導体素子を製造する方法並びにかかる方法によって形成した半導体構造及び半導体素子 | ソイテック | 2013年 4月 4日 |
| 特表 2013-509697 | 半導体・オン・絶縁体型構造における応力の分布を制御するための方法およびこの方法に関連した構造 | ソイテック | 2013年 3月14日 |
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2013-543276 2013-541197 2013-537363 2013-533621 2013-531395 2013-149991 2013-524513 2013-522896 2013-520829 2013-518401 2013-80917 2013-513963 2013-513234 2013-511834 2013-509697
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