※ ログインすれば出願人(株式会社SUMCO)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2011年 出願公開件数ランキング 第195位 221件
(2010年:第150位 334件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第419位 79件
(2010年:第455位 62件)
(ランキング更新日:2025年5月30日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
再表 2009-60913 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 3月24日 | |
再表 2009-60912 | エピタキシャル膜成長方法、ウェーハ支持構造およびサセプタ | 2011年 3月24日 | |
再表 2009-60770 | 気相成長用サセプタ | 2011年 3月24日 | |
特開 2011-57460 | シリコン単結晶の育成方法 | 2011年 3月24日 | |
特開 2011-57456 | 単結晶の製造方法及び単結晶 | 2011年 3月24日 | |
特開 2011-61060 | 貼り合わせ基板の製造方法 | 2011年 3月24日 | |
特開 2011-60861 | 半導体ウェーハの表層評価方法 | 2011年 3月24日 | |
特開 2011-54822 | シリコンインゴットの切断方法 | 2011年 3月17日 | |
特開 2011-51025 | ワイヤソー装置 | 2011年 3月17日 | |
特開 2011-54654 | 薄厚化デバイス素子用シリコンウェーハの製造方法 | 2011年 3月17日 | |
特開 2011-54821 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ | 2011年 3月17日 | |
特開 2011-54757 | シリコンウェーハの主面の傾斜方位の検出方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 3月17日 | |
特開 2011-54734 | 裏面照射型イメージセンサ用エピタキシャル基板およびその製造方法。 | 2011年 3月17日 | |
特開 2011-54704 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2011年 3月17日 | |
特開 2011-54691 | 半導体ウェーハの表面または表層評価方法 | 2011年 3月17日 |
221 件中 136-150 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
2009-60913 2009-60912 2009-60770 2011-57460 2011-57456 2011-61060 2011-60861 2011-54822 2011-51025 2011-54654 2011-54821 2011-54757 2011-54734 2011-54704 2011-54691
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。株式会社SUMCOの知財の動向チェックに便利です。
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月5日(木) -
6月6日(金) -
大阪府大阪市中央区北浜3丁目5-19 淀屋橋ホワイトビル2階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
京都市東山区泉涌寺門前町26番地 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
愛知県名古屋市中区丸の内二丁目8番11号 セブン丸の内ビル6階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング