特許ランキング - 出願人詳細情報 -

株式会社ＳＵＭＣＯ

※ ログインすれば出願人(株式会社ＳＵＭＣＯ)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2011年出願公開件数ランキング　　　第195位　221件（2010年：第150位　334件）

　■　2011年特許取得件数ランキング　　　第419位　79件（2010年：第455位　62件）

（ランキング更新日：2024年11月26日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年

株式会社ＳＵＭＣＯの商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日
再表 2009-60913	エピタキシャルウェーハの製造方法	2011年 3月24日
再表 2009-60912	エピタキシャル膜成長方法、ウェーハ支持構造およびサセプタ	2011年 3月24日
再表 2009-60770	気相成長用サセプタ	2011年 3月24日
特開 2011-57460	シリコン単結晶の育成方法	2011年 3月24日
特開 2011-57456	単結晶の製造方法及び単結晶	2011年 3月24日
特開 2011-61060	貼り合わせ基板の製造方法	2011年 3月24日
特開 2011-60861	半導体ウェーハの表層評価方法	2011年 3月24日
特開 2011-54822	シリコンインゴットの切断方法	2011年 3月17日
特開 2011-51025	ワイヤソー装置	2011年 3月17日
特開 2011-54654	薄厚化デバイス素子用シリコンウェーハの製造方法	2011年 3月17日
特開 2011-54821	エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ	2011年 3月17日
特開 2011-54757	シリコンウェーハの主面の傾斜方位の検出方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法	2011年 3月17日
特開 2011-54734	裏面照射型イメージセンサ用エピタキシャル基板およびその製造方法。	2011年 3月17日
特開 2011-54704	貼り合わせウェーハの製造方法	2011年 3月17日
特開 2011-54691	半導体ウェーハの表面または表層評価方法	2011年 3月17日

221 件中 136-150 件を表示

... 10

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2009-60913 2009-60912 2009-60770 2011-57460 2011-57456 2011-61060 2011-60861 2011-54822 2011-51025 2011-54654 2011-54821 2011-54757 2011-54734 2011-54704 2011-54691

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。株式会社ＳＵＭＣＯの知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数