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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第195位 221件
(2010年:第150位 334件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第419位 79件
(2010年:第455位 62件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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再表 2009-60913 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 3月24日 | |
再表 2009-60912 | エピタキシャル膜成長方法、ウェーハ支持構造およびサセプタ | 2011年 3月24日 | |
再表 2009-60770 | 気相成長用サセプタ | 2011年 3月24日 | |
特開 2011-57460 | シリコン単結晶の育成方法 | 2011年 3月24日 | |
特開 2011-57456 | 単結晶の製造方法及び単結晶 | 2011年 3月24日 | |
特開 2011-61060 | 貼り合わせ基板の製造方法 | 2011年 3月24日 | |
特開 2011-60861 | 半導体ウェーハの表層評価方法 | 2011年 3月24日 | |
特開 2011-54822 | シリコンインゴットの切断方法 | 2011年 3月17日 | |
特開 2011-51025 | ワイヤソー装置 | 2011年 3月17日 | |
特開 2011-54654 | 薄厚化デバイス素子用シリコンウェーハの製造方法 | 2011年 3月17日 | |
特開 2011-54821 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ | 2011年 3月17日 | |
特開 2011-54757 | シリコンウェーハの主面の傾斜方位の検出方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 3月17日 | |
特開 2011-54734 | 裏面照射型イメージセンサ用エピタキシャル基板およびその製造方法。 | 2011年 3月17日 | |
特開 2011-54704 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2011年 3月17日 | |
特開 2011-54691 | 半導体ウェーハの表面または表層評価方法 | 2011年 3月17日 |
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2009-60913 2009-60912 2009-60770 2011-57460 2011-57456 2011-61060 2011-60861 2011-54822 2011-51025 2011-54654 2011-54821 2011-54757 2011-54734 2011-54704 2011-54691
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