※ ログインすれば出願人(株式会社SUMCO)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2011年 出願公開件数ランキング 第195位 221件
(2010年:第150位 334件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第419位 79件
(2010年:第455位 62件)
(ランキング更新日:2025年5月30日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2011-29355 | レーザマーク付き半導体ウェーハの製造方法 | 2011年 2月10日 | |
特開 2011-25371 | ワイヤーソー用ローラー | 2011年 2月10日 | |
特開 2011-29361 | 気相成長装置及び気相成長方法 | 2011年 2月10日 | |
特開 2011-29317 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 2月10日 | |
特開 2011-27430 | シリコンウェーハの機械的強度測定装置および測定方法 | 2011年 2月10日 | |
特開 2011-29618 | SIMOXウェーハの製造方法、SIMOXウェーハ | 2011年 2月10日 | |
特開 2011-29486 | ウェーハ表面処理方法 | 2011年 2月10日 | |
特開 2011-29225 | 半導体ウェーハ支持方法,半導体ウェーハ支持用ピン及び半導体ウェーハ支持装置 | 2011年 2月10日 | |
特開 2011-23641 | エピタキシャルウェーハ用サセプタ、およびその製造方法、並びにそれを用いたエピタキシャル成長装置 | 2011年 2月 3日 | |
特開 2011-23563 | シリコンウェーハの処理装置 | 2011年 2月 3日 | |
特開 2011-23533 | シリコン基板とその製造方法 | 2011年 2月 3日 | |
特開 2011-20882 | シリコン単結晶の育成方法 | 2011年 2月 3日 | |
特開 2011-23422 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 2月 3日 | |
特開 2011-18739 | エピタキシャルウェーハおよびその製造方法 | 2011年 1月27日 | |
特開 2011-18725 | エピタキシャルウェーハおよびその製造方法 | 2011年 1月27日 |
221 件中 181-195 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
2011-29355 2011-25371 2011-29361 2011-29317 2011-27430 2011-29618 2011-29486 2011-29225 2011-23641 2011-23563 2011-23533 2011-20882 2011-23422 2011-18739 2011-18725
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。株式会社SUMCOの知財の動向チェックに便利です。
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月5日(木) -
6月6日(金) -
東京都新宿区四谷2-12-5 四谷ISYビル3階 PDI特許商標事務所内 特許・実用新案 訴訟 鑑定 コンサルティング
〒152-0034 東京都目黒区緑が丘一丁目16番7号 意匠 商標 外国商標 訴訟 コンサルティング
〒210-0024 神奈川県川崎市川崎区日進町3-4 unicoA 303 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング