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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第289位 146件
(2011年:第195位 221件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第367位 99件
(2011年:第419位 79件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2012-229158 | シリコンウェーハの製造方法 | 2012年11月22日 | |
特開 2012-228745 | 研磨装置、および、研磨方法 | 2012年11月22日 | |
再表 2010-140684 | 固定砥粒加工装置及び固定砥粒加工方法、並びに、半導体ウェーハ製造方法 | 2012年11月22日 | |
再表 2010-140671 | シリコンウェーハの研磨方法及びシリコンウェーハ | 2012年11月22日 | |
特開 2012-224502 | 多結晶シリコンの連続鋳造方法 | 2012年11月15日 | |
特開 2012-218984 | 単結晶引上げ装置 | 2012年11月12日 | |
特開 2012-222014 | 半導体ウェーハの酸化膜除去方法 | 2012年11月12日 | |
特開 2012-211773 | 特定欠陥の検出方法、特定欠陥の検出システムおよびプログラム | 2012年11月 1日 | |
特開 2012-212800 | シリコンウェーハの製造方法 | 2012年11月 1日 | |
特開 2012-210685 | 研削ホイール、および、両頭研削加工方法 | 2012年11月 1日 | |
再表 2010-128631 | 半導体ウェーハの研磨方法及び研磨パッド整形治具 | 2012年11月 1日 | |
再表 2010-125942 | シリコンスラッジの洗浄方法 | 2012年10月25日 | |
特開 2012-206936 | シリコン単結晶の引上げ方法により引上げられたインゴットから得られたシリコン単結晶ウェーハ | 2012年10月25日 | |
特開 2012-204439 | 貼合せSOIウェーハの製造方法 | 2012年10月22日 | |
再表 2010-119833 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2012年10月22日 |
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2012-229158 2012-228745 2010-140684 2010-140671 2012-224502 2012-218984 2012-222014 2012-211773 2012-212800 2012-210685 2010-128631 2010-125942 2012-206936 2012-204439 2010-119833
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