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株式会社SUMCO

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  2014年 出願公開件数ランキング    第737位 41件 下降2013年:第585位 64件)

  2014年 特許取得件数ランキング    第212位 189件 上昇2013年:第276位 144件)

(ランキング更新日:2025年3月28日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称公報発行日備考
特開 2014-111545 シリコンウェーハの製造方法 2014年 6月19日
特開 2014-111540 シリコン単結晶およびその製造方法 2014年 6月19日
特開 2014-107374 半導体試料の電気的評価方法および評価装置 2014年 6月 9日
再表 2012-90366 ワークの研磨方法 2014年 6月 5日
特開 2014-99477 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ 2014年 5月29日
特開 2014-99478 エピタキシャルシリコンウェーハの汚染評価方法およびエピタキシャル成長装置炉内の汚染評価方法 2014年 5月29日
特開 2014-99472 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 2014年 5月29日
特開 2014-99465 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 2014年 5月29日
特開 2014-99457 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 2014年 5月29日
特開 2014-99456 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 2014年 5月29日
特開 2014-99454 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 2014年 5月29日
特開 2014-99451 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 2014年 5月29日
特開 2014-99482 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 2014年 5月29日
特開 2014-99479 エピタキシャル成長装置炉内の汚染評価方法および汚染評価用テストウェーハ 2014年 5月29日
特開 2014-99481 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 2014年 5月29日

41 件中 16-30 件を表示

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2014-111545 2014-111540 2014-107374 2012-90366 2014-99477 2014-99478 2014-99472 2014-99465 2014-99457 2014-99456 2014-99454 2014-99451 2014-99482 2014-99479 2014-99481

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