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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第195位 221件
(2010年:第150位 334件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第419位 79件
(2010年:第455位 62件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2011-228594 | シリコン基板の製造方法 | 2011年11月10日 | |
特開 2011-219319 | 単結晶の製造方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2011年11月 4日 | |
特開 2011-219312 | 単結晶引き上げ装置 | 2011年11月 4日 | |
特開 2011-218384 | 透明材料のレーザー加工方法 | 2011年11月 4日 | |
特開 2011-219317 | シリコン系太陽電池用原料の製造方法 | 2011年11月 4日 | |
特開 2011-218516 | 再生砥粒群生成方法、ウェーハ製造システム、及びウェーハ製造方法 | 2011年11月 4日 | |
特開 2011-207642 | 単結晶の製造方法および単結晶 | 2011年10月20日 | |
特開 2011-200897 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2011年10月13日 | |
特開 2011-204721 | ウェーハ製造方法 | 2011年10月13日 | |
特開 2011-204722 | エピタキシャル成長システム | 2011年10月13日 | |
特開 2011-194313 | バブリング装置及び方法 | 2011年10月 6日 | |
特開 2011-187706 | シリコンウェーハの製造方法 | 2011年 9月22日 | |
特開 2011-187651 | エピタキシャルウェーハ製造方法 | 2011年 9月22日 | |
特開 2011-187694 | ゲッタリング方法およびこれを用いた半導体基板の製造方法 | 2011年 9月22日 | |
特開 2011-181688 | SOIウエーハのシリコン膜厚の目視検査方法及び装置 | 2011年 9月15日 |
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2011-228594 2011-219319 2011-219312 2011-218384 2011-219317 2011-218516 2011-207642 2011-200897 2011-204721 2011-204722 2011-194313 2011-187706 2011-187651 2011-187694 2011-181688
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2月22日(土) - 東京 板橋区
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2月26日(水) -
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2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 港区
2月27日(木) -
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