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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第737位 41件
(2013年:第585位 64件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第212位 189件
(2013年:第276位 144件)
(ランキング更新日:2025年2月21日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2014-99476 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 | 2014年 5月29日 | |
特開 2014-99482 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 | 2014年 5月29日 | |
特開 2014-91640 | シリカガラスルツボの評価方法 | 2014年 5月19日 | |
特開 2014-63785 | 半導体基板の金属汚染評価方法および半導体基板の製造方法 | 2014年 4月10日 | |
特開 2014-36153 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ | 2014年 2月24日 | |
特開 2014-36054 | ウェーハの片面研磨方法 | 2014年 2月24日 | |
特開 2014-36122 | エピタキシャル成長炉の評価方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 2月24日 | |
特開 2014-17524 | シリコンウェーハの研磨方法 | 2014年 1月30日 | |
特開 2014-12316 | ウェーハの片面研磨方法およびウェーハの片面研磨装置 | 2014年 1月23日 | |
特開 2014-11293 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、エピタキシャルシリコンウェーハ | 2014年 1月20日 | 共同出願 |
特開 2014-3254 | シリコンウェーハに付着した異物の分析方法、およびこの方法に使用される異物転写装置 | 2014年 1月 9日 |
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2014-99476 2014-99482 2014-91640 2014-63785 2014-36153 2014-36054 2014-36122 2014-17524 2014-12316 2014-11293 2014-3254
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2月22日(土) - 東京 板橋区
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2月27日(木) - 東京 港区
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2月25日(火) -
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