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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第195位 221件
(2010年:第150位 334件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第419位 79件
(2010年:第455位 62件)
(ランキング更新日:2025年3月28日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2011-176097 | 貼り合わせSOIウェーハ及びその製造方法 | 2011年 9月 8日 | |
特開 2011-173753 | 多結晶シリコンウェーハ | 2011年 9月 8日 | |
特開 2011-173775 | シリコンインゴットの連続鋳造方法 | 2011年 9月 8日 | |
特開 2011-176180 | 太陽電池用多結晶シリコン | 2011年 9月 8日 | |
特開 2011-171637 | エピタキシャルウェーハ製造方法及びサセプタ | 2011年 9月 1日 | |
特開 2011-163853 | 画像データ処理方法および画像作成方法 | 2011年 8月25日 | |
特開 2011-165694 | ウェーハの超音波洗浄方法および超音波洗浄装置 | 2011年 8月25日 | |
特開 2011-165820 | シリコンウェーハの製造方法 | 2011年 8月25日 | |
特開 2011-165909 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2011年 8月25日 | |
再表 2009-133720 | エピタキシャルシリコンウェーハ | 2011年 8月25日 | |
特開 2011-165819 | シリコンウェーハの製造方法 | 2011年 8月25日 | |
特開 2011-165812 | シリコンウェーハ及びその製造方法、並びに、半導体デバイスの製造方法 | 2011年 8月25日 | |
特開 2011-162380 | シリコン原料の溶解方法および供給装置 | 2011年 8月25日 | |
特開 2011-157224 | シリコン単結晶の製造方法 | 2011年 8月18日 | |
特開 2011-159700 | シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 8月18日 |
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2011-176097 2011-173753 2011-173775 2011-176180 2011-171637 2011-163853 2011-165694 2011-165820 2011-165909 2009-133720 2011-165819 2011-165812 2011-162380 2011-157224 2011-159700
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