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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第289位 146件
(2011年:第195位 221件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第367位 99件
(2011年:第419位 79件)
(ランキング更新日:2025年5月30日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2012-151402 | 半導体基板及びその製造方法 | 2012年 8月 9日 | |
特開 2012-151320 | ウェーハ洗浄装置 | 2012年 8月 9日 | |
特開 2012-148944 | 半導体基板及びその製造方法 | 2012年 8月 9日 | |
特開 2012-148925 | シリコン単結晶の検査方法および製造方法 | 2012年 8月 9日 | |
特開 2012-151401 | 半導体基板及びその製造方法 | 2012年 8月 9日 | |
特開 2012-151403 | 半導体基板及びその製造方法 | 2012年 8月 9日 | |
特開 2012-144014 | ワーク切断装置 | 2012年 8月 2日 | |
特開 2012-143847 | 一方向走行式ワイヤソー | 2012年 8月 2日 | |
特開 2012-143839 | 両面研磨装置及びこれを用いた両面研磨方法 | 2012年 8月 2日 | |
特開 2012-145439 | 基板厚み測定装置及び基板厚み測定方法 | 2012年 8月 2日 | |
特開 2012-146835 | 枚葉式ウェーハ洗浄装置 | 2012年 8月 2日 | |
特開 2012-139652 | ワイヤソースラッジからのグリコール除去方法 | 2012年 7月26日 | |
特開 2012-142485 | エピタキシャルウェーハの製造方法、エピタキシャルウェーハ | 2012年 7月26日 | |
特開 2012-138576 | 裏面照射型固体撮像素子用エピタキシャル基板およびその製造方法 | 2012年 7月19日 | |
特開 2012-136387 | シリコンインゴットの電磁鋳造方法 | 2012年 7月19日 |
146 件中 46-60 件を表示
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2012-151402 2012-151320 2012-148944 2012-148925 2012-151401 2012-151403 2012-144014 2012-143847 2012-143839 2012-145439 2012-146835 2012-139652 2012-142485 2012-138576 2012-136387
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