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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第585位 64件
(2012年:第289位 146件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第276位 144件
(2012年:第367位 99件)
(ランキング更新日:2025年3月4日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2013-82037 | 砥粒チャージ方法及び硬脆性基板の製造方法 | 2013年 5月 9日 | |
再表 2011-70741 | CVD用トレーおよびそれを用いた成膜方法 | 2013年 4月22日 | |
特開 2013-74135 | 太陽電池用ウェーハ、太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 | 2013年 4月22日 | |
再表 2011-68236 | ウェーハの研磨方法 | 2013年 4月22日 | |
特開 2013-70091 | エピタキシャルウェーハとその製造方法 | 2013年 4月18日 | |
特開 2013-58692 | 半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法 | 2013年 3月28日 | |
特開 2013-49586 | シリコンインゴットの連続鋳造方法 | 2013年 3月14日 | |
特開 2013-51290 | サセプタ、該サセプタを用いた気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年 3月14日 | |
特開 2013-51348 | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | 2013年 3月14日 | |
特開 2013-51291 | シリコンウェーハ加工量の評価方法および評価用シリコンウェーハ | 2013年 3月14日 | |
特開 2013-45955 | シミュレーションによるレーザースパイクアニールを施す際に生じる酸素析出物からの発生転位予測方法 | 2013年 3月 4日 | |
特開 2013-45909 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2013年 3月 4日 | |
特開 2013-32282 | シリコン単結晶インゴット | 2013年 2月14日 | |
再表 2011-33752 | エピタキシャルウェーハの製造方法および製造装置 | 2013年 2月 7日 | |
特開 2013-26571 | 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 | 2013年 2月 4日 |
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2013-82037 2011-70741 2013-74135 2011-68236 2013-70091 2013-58692 2013-49586 2013-51290 2013-51348 2013-51291 2013-45955 2013-45909 2013-32282 2011-33752 2013-26571
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3月5日(水) -
3月5日(水) -
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3月6日(木) -
3月6日(木) - 東京 港区
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3月7日(金) - 東京 港区
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3月7日(金) -
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3月11日(火) - 東京 港区
3月11日(火) - 大阪 大阪市
特許制度に詳しい方にこそ知って欲しい意匠権の使い方 ~コスパの高い意匠権を使って事業を守る方法を、特許権と比較して解説~
3月12日(水) - 東京 港区
3月12日(水) -
3月12日(水) - 愛知 名古屋市中区
3月12日(水) -
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