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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第585位 64件
(2012年:第289位 146件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第276位 144件
(2012年:第367位 99件)
(ランキング更新日:2025年8月25日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5374805 | SIMOXウェーハの製造方法 | 2013年12月25日 | |
特許 5377930 | シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボの製造方法 | 2013年12月25日 | |
特許 5375636 | シリコン単結晶の製造方法 | 2013年12月25日 | |
特許 5370006 | ワイヤソー装置 | 2013年12月18日 | |
特許 5370850 | エピタキシャル膜成長方法、ウェーハ支持構造およびサセプタ | 2013年12月18日 | |
特許 5369514 | シリコンウェーハの金属汚染分析方法およびシリコンウェーハの製造方法 | 2013年12月18日 | |
特許 5365057 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2013年12月11日 | |
特許 5365063 | シリコンウェーハの製造方法 | 2013年12月11日 | |
特許 5363266 | 石英ガラスルツボ製造装置、及び、石英ガラスルツボの製造方法 | 2013年12月11日 | |
特許 5359874 | IGBT用シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2013年12月 4日 | |
特許 5357695 | 石英ガラスルツボ製造装置 | 2013年12月 4日 | |
特許 5353294 | 単結晶の製造方法 | 2013年11月27日 | |
特許 5353410 | 被研磨物キャリア及び研磨製品の製造方法 | 2013年11月27日 | |
特許 5353037 | 炭化珪素ウェーハ | 2013年11月27日 | |
特許 5353295 | 単結晶の製造方法 | 2013年11月27日 |
144 件中 1-15 件を表示
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5374805 5377930 5375636 5370006 5370850 5369514 5365057 5365063 5363266 5359874 5357695 5353294 5353410 5353037 5353295
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