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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第195位 221件 (2010年:第150位 334件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第419位 79件 (2010年:第455位 62件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2011-159696 | シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 8月18日 | |
特開 2011-157224 | シリコン単結晶の製造方法 | 2011年 8月18日 | |
特開 2011-159698 | シリコンウェーハの製造装置 | 2011年 8月18日 | |
特開 2011-151405 | 半導体素子の表面平坦化方法 | 2011年 8月 4日 | 共同出願 |
特開 2011-148063 | ウェーハ研磨加工液中の金属除去方法および装置 | 2011年 8月 4日 | |
特開 2011-146504 | 気相成長装置用サセプタ及び気相成長装置 | 2011年 7月28日 | |
特開 2011-146414 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 7月28日 | |
特開 2011-146460 | シリコンウェーハの表面浄化方法 | 2011年 7月28日 | |
特開 2011-146537 | エピタキシャル成長装置 | 2011年 7月28日 | |
特開 2011-146506 | 気相成長装置用サセプタ及び気相成長装置 | 2011年 7月28日 | |
特開 2011-143489 | 研磨パッドの形状修正方法 | 2011年 7月28日 | |
特開 2011-142257 | エピタキシャルウェーハの製造装置 | 2011年 7月21日 | |
特開 2011-134797 | 枚葉式エッチング装置及び方法 | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-134828 | 半導体ウェーハおよびその製造方法 | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-134935 | シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ、並びにそれらの製造方法 | 2011年 7月 7日 |
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2011-159696 2011-157224 2011-159698 2011-151405 2011-148063 2011-146504 2011-146414 2011-146460 2011-146537 2011-146506 2011-143489 2011-142257 2011-134797 2011-134828 2011-134935
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11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
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12月1日(日) -
11月25日(月) -
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