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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第195位 221件
(2010年:第150位 334件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第419位 79件
(2010年:第455位 62件)
(ランキング更新日:2025年2月17日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2011-159696 | シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 8月18日 | |
特開 2011-157224 | シリコン単結晶の製造方法 | 2011年 8月18日 | |
特開 2011-159698 | シリコンウェーハの製造装置 | 2011年 8月18日 | |
特開 2011-151405 | 半導体素子の表面平坦化方法 | 2011年 8月 4日 | 共同出願 |
特開 2011-148063 | ウェーハ研磨加工液中の金属除去方法および装置 | 2011年 8月 4日 | |
特開 2011-146504 | 気相成長装置用サセプタ及び気相成長装置 | 2011年 7月28日 | |
特開 2011-146414 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 7月28日 | |
特開 2011-146460 | シリコンウェーハの表面浄化方法 | 2011年 7月28日 | |
特開 2011-146537 | エピタキシャル成長装置 | 2011年 7月28日 | |
特開 2011-146506 | 気相成長装置用サセプタ及び気相成長装置 | 2011年 7月28日 | |
特開 2011-143489 | 研磨パッドの形状修正方法 | 2011年 7月28日 | |
特開 2011-142257 | エピタキシャルウェーハの製造装置 | 2011年 7月21日 | |
特開 2011-134797 | 枚葉式エッチング装置及び方法 | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-134828 | 半導体ウェーハおよびその製造方法 | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-134935 | シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ、並びにそれらの製造方法 | 2011年 7月 7日 |
221 件中 61-75 件を表示
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2011-159696 2011-157224 2011-159698 2011-151405 2011-148063 2011-146504 2011-146414 2011-146460 2011-146537 2011-146506 2011-143489 2011-142257 2011-134797 2011-134828 2011-134935
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2月20日(木) -
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パテントマップを用いた知財戦略の策定方法 -自社が勝つパテントマップ作成と それを活用した開発戦略・知財戦略の実践方法- <東京会場受講(対面)/Zoomオンライン受講 選択可> <見逃し視聴選択可>
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(オンライン参加可)体験談から学ぶ知的財産権 その時どうする?~海外で商標権がバッティング?オープンファクトリーの知財リスク?~
2月25日(火) -
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