※ ログインすれば出願人(株式会社SUMCO)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2011年 出願公開件数ランキング 第195位 221件
(2010年:第150位 334件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第419位 79件
(2010年:第455位 62件)
(ランキング更新日:2025年3月28日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2011-108765 | エピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法 | 2011年 6月 2日 | |
特開 2011-108745 | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | 2011年 6月 2日 | |
特開 2011-108791 | シリコンウェーハおよびその製造方法 | 2011年 6月 2日 | |
特開 2011-105526 | シリコン単結晶の育成方法 | 2011年 6月 2日 | |
特開 2011-107882 | シリコンウェーハの工程計画立案システム、工程計画立案方法及びプログラム | 2011年 6月 2日 | |
特開 2011-109047 | SIMOXウェーハの製造方法 | 2011年 6月 2日 | |
特開 2011-103379 | ウェーハの平坦化加工方法 | 2011年 5月26日 | |
特開 2011-101930 | 仕上研磨前シリコンウェーハの表面平坦化方法およびシリコンウェーハの表面平坦化装置 | 2011年 5月26日 | |
特開 2011-103354 | 半導体ウェーハの裏面粗さ評価方法及び評価装置 | 2011年 5月26日 | |
特開 2011-103409 | ウェーハ貼り合わせ方法 | 2011年 5月26日 | |
特開 2011-100996 | 半導体基板内部の重金属の除去方法 | 2011年 5月19日 | |
特開 2011-100978 | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 | 2011年 5月19日 | |
特開 2011-96979 | シリコンウェーハ及びその製造方法 | 2011年 5月12日 | |
特開 2011-91143 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 5月 6日 | |
特開 2011-91296 | 半導体ウェーハの研磨方法 | 2011年 5月 6日 |
221 件中 91-105 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
2011-108765 2011-108745 2011-108791 2011-105526 2011-107882 2011-109047 2011-103379 2011-101930 2011-103354 2011-103409 2011-100996 2011-100978 2011-96979 2011-91143 2011-91296
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。株式会社SUMCOの知財の動向チェックに便利です。
4月1日(火) - 山口 山口市
4月1日(火) -
4月2日(水) -
4月2日(水) -
4月4日(金) -
4月1日(火) - 山口 山口市
〒445-0802 愛知県西尾市米津町蓮台6-10 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
大阪府大阪市中央区北浜3丁目5-19 淀屋橋ホワイトビル2階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
【大阪本社】 〒534-0024 大阪府大阪市都島区東野田町1-20-5 大阪京橋ビル4階 【東京支部】 〒150-0013 東京都港区浜松町2丁目2番15号 浜松町ダイヤビル2F 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国商標 訴訟