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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第737位 41件 (2013年:第585位 64件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第212位 189件 (2013年:第276位 144件)
(ランキング更新日:2024年11月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5445075 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 3月19日 | |
特許 5444874 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2014年 3月19日 | |
特許 5444655 | 半導体基板の製造方法 | 2014年 3月19日 | |
特許 5441106 | 水冷モールド | 2014年 3月12日 | |
特許 5440901 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2014年 3月12日 | |
特許 5439972 | 大口径シリコン単結晶の製造方法 | 2014年 3月12日 | |
特許 5439801 | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | 2014年 3月12日 | |
特許 5433201 | ウェーハ裏面の評価方法 | 2014年 3月 5日 | 共同出願 |
特許 5435039 | CVD用トレーおよびそれを用いた成膜方法 | 2014年 3月 5日 | |
特許 5434317 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 3月 5日 | |
特許 5434239 | シリコンウェーハの製造方法 | 2014年 3月 5日 | |
特許 5434056 | 半導体基板の金属汚染評価方法 | 2014年 3月 5日 | |
特許 5433927 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2014年 3月 5日 | |
特許 5428992 | 単結晶直径の制御方法 | 2014年 2月26日 | |
特許 5428608 | シリコン単結晶の育成方法 | 2014年 2月26日 |
189 件中 136-150 件を表示
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5445075 5444874 5444655 5441106 5440901 5439972 5439801 5433201 5435039 5434317 5434239 5434056 5433927 5428992 5428608
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