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■ 2015年 出願公開件数ランキング 第553位 56件
(
2014年:第737位 41件)
■ 2015年 特許取得件数ランキング 第272位 103件
(
2014年:第212位 189件)
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5834632 | サセプタ、該サセプタを用いた気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2015年12月24日 | |
| 特許 5823857 | 内表面にミクロンレベルの波面のあるシリカガラスルツボ | 2015年11月25日 | |
| 特許 5822723 | シリコン単結晶引き上げ方法 | 2015年11月24日 | |
| 特許 5818675 | シリカガラスルツボの気泡分布の三次元分布の決定方法、シリコン単結晶の製造方法 | 2015年11月18日 | |
| 特許 5817239 | 半導体単結晶の引上げ方法及びその引上げ装置 | 2015年11月18日 | |
| 特許 5817236 | 半導体試料中の金属汚染評価方法および半導体基板の製造方法 | 2015年11月18日 | |
| 特許 5817127 | 半導体基板及びその製造方法 | 2015年11月18日 | |
| 特許 5811218 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2015年11月11日 | |
| 特許 5808667 | シリカガラスルツボの三次元形状測定方法 | 2015年11月10日 | |
| 特許 5804116 | シリコン単結晶の欠陥解析方法 | 2015年11月 4日 | |
| 特許 5804107 | シリコン単結晶の製造方法 | 2015年11月 4日 | |
| 特許 5799936 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 | 2015年10月28日 | |
| 特許 5799935 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 | 2015年10月28日 | |
| 特許 5795461 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2015年10月14日 | |
| 特許 5791497 | シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボの製造に好適なシリカ粉の判定方法 | 2015年10月 7日 |
104 件中 1-15 件を表示
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5834632 5823857 5822723 5818675 5817239 5817236 5817127 5811218 5808667 5804116 5804107 5799936 5799935 5795461 5791497
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