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■ 2015年 出願公開件数ランキング 第570位 57件 (2014年:第737位 41件)
■ 2015年 特許取得件数ランキング 第272位 103件 (2014年:第212位 189件)
(ランキング更新日:2024年9月20日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5834632 | サセプタ、該サセプタを用いた気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2015年12月24日 | |
特許 5823857 | 内表面にミクロンレベルの波面のあるシリカガラスルツボ | 2015年11月25日 | |
特許 5822723 | シリコン単結晶引き上げ方法 | 2015年11月24日 | |
特許 5817127 | 半導体基板及びその製造方法 | 2015年11月18日 | |
特許 5817236 | 半導体試料中の金属汚染評価方法および半導体基板の製造方法 | 2015年11月18日 | |
特許 5817239 | 半導体単結晶の引上げ方法及びその引上げ装置 | 2015年11月18日 | |
特許 5818675 | シリカガラスルツボの気泡分布の三次元分布の決定方法、シリコン単結晶の製造方法 | 2015年11月18日 | |
特許 5811218 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2015年11月11日 | |
特許 5808667 | シリカガラスルツボの三次元形状測定方法 | 2015年11月10日 | |
特許 5804107 | シリコン単結晶の製造方法 | 2015年11月 4日 | |
特許 5804116 | シリコン単結晶の欠陥解析方法 | 2015年11月 4日 | |
特許 5799935 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 | 2015年10月28日 | |
特許 5799936 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 | 2015年10月28日 | |
特許 5795461 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2015年10月14日 | |
特許 5789986 | 枚葉式ウェーハ洗浄装置 | 2015年10月 7日 |
104 件中 1-15 件を表示
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5834632 5823857 5822723 5817127 5817236 5817239 5818675 5811218 5808667 5804107 5804116 5799935 5799936 5795461 5789986
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