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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第539位 58件
(2021年:第360位 101件)
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第278位 113件
(2021年:第298位 93件)
(ランキング更新日:2025年4月3日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 7196913 | 石英ルツボの透過率測定方法及び装置 | 2022年12月27日 | |
特許 7192745 | 炭素製ルツボ | 2022年12月20日 | |
特許 7192756 | 気相成長装置及び気相成長方法 | 2022年12月20日 | |
特許 7192757 | エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法並びにX線検出センサ | 2022年12月20日 | |
特許 7192761 | 研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2022年12月20日 | |
特許 7192883 | 石英ガラスルツボ | 2022年12月20日 | |
特許 7188250 | 気相成長装置及びこれに用いられるキャリア | 2022年12月13日 | |
特許 7188256 | 気相成長方法及び気相成長装置 | 2022年12月13日 | |
特許 7188283 | シリコンウェーハの評価方法 | 2022年12月13日 | |
特許 7185879 | 半導体試料の評価方法 | 2022年12月 8日 | |
特許 7184025 | シリコン単結晶の製造方法 | 2022年12月 6日 | |
特許 7184029 | 単結晶シリコンインゴットの製造方法 | 2022年12月 6日 | |
特許 7184032 | シリコン試料の炭素濃度評価方法およびこの方法に使用される評価装置、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法ならびにシリコン単結晶インゴットの製造方法 | 2022年12月 6日 | |
特許 7176508 | シリコンウェーハの欠陥検査方法及びシリコンウェーハの欠陥検査システム | 2022年11月22日 | |
特許 7172556 | 多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法 | 2022年11月16日 |
113 件中 1-15 件を表示
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7196913 7192745 7192756 7192757 7192761 7192883 7188250 7188256 7188283 7185879 7184025 7184029 7184032 7176508 7172556
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