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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第455位 76件
(
2015年:第570位 57件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第525位 51件
(
2015年:第272位 103件)
(ランキング更新日:2026年3月17日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6052070 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びその製造装置 | 2016年12月27日 | |
| 特許 6044530 | シリコン単結晶の育成方法 | 2016年12月14日 | |
| 特許 6035982 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ | 2016年11月30日 | |
| 特許 6030764 | シリカガラスルツボの検査方法 | 2016年11月24日 | |
| 特許 6031971 | 半導体試料の電気的評価方法および評価装置 | 2016年11月24日 | |
| 特許 6024710 | シリコンウェーハ及びその製造方法、並びに、半導体デバイスの製造方法 | 2016年11月16日 | |
| 特許 6025278 | シリコン単結晶引き上げ用シリカガラスルツボ及びその製造方法 | 2016年11月16日 | |
| 特許 6020973 | ドレスプレート | 2016年11月 2日 | |
| 特許 6008053 | ウェーハの研磨方法およびウェーハの研磨装置 | 2016年10月19日 | |
| 特許 6003447 | 半導体基板の金属汚染評価方法および半導体基板の製造方法 | 2016年10月 5日 | |
| 特許 6004033 | エピタキシャルウェーハの評価方法および評価装置 | 2016年10月 5日 | |
| 特許 5996718 | シリカガラスルツボの三次元形状測定方法、シリコン単結晶の製造方法 | 2016年 9月21日 | |
| 特許 5992572 | シリカ粉の評価方法、シリカガラスルツボ、シリカガラスルツボの製造方法 | 2016年 9月14日 | |
| 特許 5978343 | シリコン単結晶の製造方法 | 2016年 8月24日 | |
| 特許 5978722 | シリコン種結晶の製造方法、シリコン単結晶の製造方法 | 2016年 8月24日 |
52 件中 1-15 件を表示
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6052070 6044530 6035982 6030764 6031971 6024710 6025278 6020973 6008053 6003447 6004033 5996718 5992572 5978343 5978722
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