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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第303位 145件
(2016年:第455位 76件)
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第394位 68件
(2016年:第525位 51件)
(ランキング更新日:2025年3月21日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6253976 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法 | 2017年12月27日 | |
特許 6248458 | 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ | 2017年12月20日 | |
特許 6248816 | 単結晶の製造方法 | 2017年12月20日 | |
特許 6244962 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2017年12月13日 | |
特許 6241277 | エピタキシャル成長装置 | 2017年12月 6日 | |
特許 6241381 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2017年12月 6日 | |
特許 6232754 | 貼合せSOIウェーハの製造方法 | 2017年11月22日 | |
特許 6232881 | SOIウェーハの製造方法 | 2017年11月22日 | |
特許 6233296 | 砥粒の評価方法、および、シリコンウェーハの製造方法 | 2017年11月22日 | |
特許 6229258 | 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ | 2017年11月15日 | |
特許 6229438 | 半導体ウェーハの外周部の検査装置および検査方法 | 2017年11月15日 | |
特許 6229737 | ワークの厚さ測定装置、測定方法、及びワークの研磨装置 | 2017年11月15日 | |
特許 6225562 | SOIウェーハの製造方法 | 2017年11月 8日 | |
特許 6221928 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法 | 2017年11月 1日 | |
特許 6210125 | シリコン単結晶ウェーハ | 2017年10月11日 |
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6253976 6248458 6248816 6244962 6241277 6241381 6232754 6232881 6233296 6229258 6229438 6229737 6225562 6221928 6210125
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