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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第737位 41件 (2013年:第585位 64件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第212位 189件 (2013年:第276位 144件)
(ランキング更新日:2024年11月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5428214 | 半導体ウェーハの製造方法、半導体ウェーハ、及び、半導体ウェーハの結晶評価方法 | 2014年 2月26日 | |
特許 5418099 | 両面研磨装置の研磨布の洗浄方法及び洗浄装置 | 2014年 2月19日 | |
特許 5422996 | 半導体インゴット搬送システム | 2014年 2月19日 | |
特許 5417833 | 半導体インゴット反転装置 | 2014年 2月19日 | |
特許 5418009 | シリコン単結晶の製造装置及び製造方法 | 2014年 2月19日 | |
特許 5417965 | 単結晶成長方法 | 2014年 2月19日 | |
特許 5417735 | シリコン単結晶の育成方法 | 2014年 2月19日 | |
特許 5417793 | 表面検査方法 | 2014年 2月19日 | |
特許 5423384 | 半導体ウェーハおよびその製造方法 | 2014年 2月19日 | |
特許 5423032 | シリコン基板中のCu及びNi含有量の評価方法 | 2014年 2月19日 | |
特許 5417998 | ウェーハ製造履歴追跡方法 | 2014年 2月19日 | |
特許 5415297 | 石英ガラスルツボ製造装置 | 2014年 2月12日 | |
特許 5413354 | シリコン単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の製造方法 | 2014年 2月12日 | |
特許 5413342 | シリコンウェーハ表層部のエッチング方法およびシリコンウェーハの金属汚染分析方法 | 2014年 2月12日 | |
特許 5412759 | エピタキシャルウェーハの保持具及びそのウェーハの製造方法 | 2014年 2月12日 |
189 件中 151-165 件を表示
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5428214 5418099 5422996 5417833 5418009 5417965 5417735 5417793 5423384 5423032 5417998 5415297 5413354 5413342 5412759
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11月25日(月) -
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11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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