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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第585位 64件
(2012年:第289位 146件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第276位 144件
(2012年:第367位 99件)
(ランキング更新日:2025年5月30日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5346424 | 検査方法及び半導体基板製造方法 | 2013年11月20日 | |
特許 5344423 | 炭素電極の製造方法および石英ガラスルツボの製造方法 | 2013年11月20日 | |
特許 5347801 | ワイヤーソー | 2013年11月20日 | |
特許 5347309 | SOIウェーハの評価方法およびSOIウェーハの製造方法 | 2013年11月20日 | |
特許 5338530 | イオナイザーの管理方法 | 2013年11月13日 | |
特許 5343723 | ワイヤーソー | 2013年11月13日 | |
特許 5343371 | シリコン基板とその製造方法 | 2013年11月13日 | |
特許 5343720 | ワイヤーソーによる加工方法 | 2013年11月13日 | |
特許 5343409 | 半導体ウェーハの湾曲判定方法、膜付きウェーハの製造方法 | 2013年11月13日 | |
特許 5343400 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2013年11月13日 | |
特許 5333146 | シリコン単結晶の引上げ方法 | 2013年11月 6日 | |
特許 5332019 | 石英ガラス製ルツボの品質評価用試料およびその作製方法ならびにその試料を用いた評価方法およびその試料の作製装置。 | 2013年11月 6日 | |
特許 5332478 | レーザー散乱式欠陥検査装置及びレーザー散乱式欠陥検査方法 | 2013年11月 6日 | |
特許 5326888 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年10月30日 | |
特許 5321980 | 気相成長用サセプタ | 2013年10月23日 |
144 件中 16-30 件を表示
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5346424 5344423 5347801 5347309 5338530 5343723 5343371 5343720 5343409 5343400 5333146 5332019 5332478 5326888 5321980
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