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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第435位 71件 (2023年:第512位 61件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第402位 73件 (2023年:第372位 84件)
(ランキング更新日:2025年1月8日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7600659 | エピタキシャルウェーハの欠陥検査方法 | 2024年12月17日 | |
特許 7600973 | 積層ウェーハ及びその製造方法 | 2024年12月17日 | |
特許 7593218 | 状態判定装置及び状態判定方法 | 2024年12月 3日 | |
特許 7593269 | ウェーハの端部形状決定装置、端部形状決定方法及びウェーハ | 2024年12月 3日 | |
特許 7593309 | 絶縁膜形成装置用トレー、絶縁膜形成装置および絶縁膜形成方法 | 2024年12月 3日 | |
特許 7593310 | 絶縁膜形成装置用トレー、絶縁膜形成装置および絶縁膜形成方法 | 2024年12月 3日 | |
特許 7593492 | ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 | 2024年12月 3日 | |
特許 7586011 | シリコン単結晶製造装置 | 2024年11月19日 | |
特許 7586031 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2024年11月19日 | |
特許 7582070 | シリコンウェーハのサーマルドナー挙動予測方法及びシリコンウェーハの製造方法 | 2024年11月13日 | |
特許 7582097 | 洗浄装置、洗浄方法、ウェーハの洗浄方法、およびシリコンウェーハの製造方法 | 2024年11月13日 | |
特許 7582289 | 半導体製造装置、半導体製造工場及び半導体製造方法 | 2024年11月13日 | |
特許 7582419 | シリコンウェーハの表面の帯電量の監視方法及び監視装置 | 2024年11月13日 | |
特許 7574761 | 製造ラインの工程計画立案装置及び方法 | 2024年10月29日 | |
特許 7574776 | シリコン単結晶引き上げ装置、およびシリコン単結晶の製造方法 | 2024年10月29日 |
75 件中 1-15 件を表示
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7600659 7600973 7593218 7593269 7593309 7593310 7593492 7586011 7586031 7582070 7582097 7582289 7582419 7574761 7574776
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1月15日(水) - 東京 千代田区
1月15日(水) -
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1月16日(木) -
1月17日(金) - 東京 渋谷区
1月17日(金) -
1月17日(金) -
1月14日(火) - 東京 港区
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