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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第585位 64件 (2012年:第289位 146件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第276位 144件 (2012年:第367位 99件)
(ランキング更新日:2024年11月29日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5273552 | ウェーハケース | 2013年 8月28日 | |
特許 5277414 | 石英粉体原料中に含まれる有色異物の検出装置および検出方法 | 2013年 8月28日 | |
特許 5267361 | エピタキシャル成長方法 | 2013年 8月21日 | |
特許 5267366 | シリコンウェーハの処理装置 | 2013年 8月21日 | |
特許 5267189 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年 8月21日 | |
特許 5262257 | 窒素ドープシリコン単結晶の製造方法 | 2013年 8月14日 | |
特許 5262346 | シリコン単結晶の製造方法 | 2013年 8月14日 | |
特許 5262295 | 塩化水素ガスの供給方法及び塩化水素ガスの供給装置 | 2013年 8月14日 | |
特許 5262021 | シリコンウェーハ及びその製造方法 | 2013年 8月14日 | |
特許 5261960 | 半導体基板の製造方法 | 2013年 8月14日 | |
特許 5262306 | 半導体ウェーハの洗浄方法 | 2013年 8月14日 | |
特許 5256910 | グルーブローラの構造 | 2013年 8月 7日 | |
特許 5257424 | エピタキシャル成長装置 | 2013年 8月 7日 | |
特許 5256625 | 貼り合わせウェーハの評価方法 | 2013年 8月 7日 | |
特許 5257401 | 歪シリコンSOI基板の製造方法 | 2013年 8月 7日 |
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5273552 5277414 5267361 5267366 5267189 5262257 5262346 5262295 5262021 5261960 5262306 5256910 5257424 5256625 5257401
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11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
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12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月29日(金) - 東京 港区
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12月4日(水) - 東京 千代田区
12月4日(水) - 東京 港区
12月4日(水) -
12月4日(水) - 大阪 大阪市
12月4日(水) -
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12月5日(木) -
12月5日(木) -
12月5日(木) - 大阪 大阪市
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12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
12月6日(金) -
12月2日(月) - 滋賀 草津市
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