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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第585位 64件 (2012年:第289位 146件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第276位 144件 (2012年:第367位 99件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5252157 | 石英ガラスルツボ | 2013年 7月31日 | |
特許 5251137 | 単結晶シリコンウェーハおよびその製造方法 | 2013年 7月31日 | |
特許 5250968 | エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法並びにエピタキシャル成長用シリコンウェーハ。 | 2013年 7月31日 | |
特許 5245129 | 石英ガラスルツボの製造方法 | 2013年 7月24日 | |
特許 5246163 | IGBT用のシリコン単結晶ウェーハ及びIGBT用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2013年 7月24日 | |
特許 5246065 | エピタキシャルシリコンウェーハとその製造方法 | 2013年 7月24日 | |
特許 5239117 | SOI基板の製造方法 | 2013年 7月17日 | |
特許 5240191 | シリコン単結晶引上装置 | 2013年 7月17日 | |
特許 5239265 | シリコン単結晶引上げ用種結晶及び該種結晶を使用したシリコン単結晶の製造方法 | 2013年 7月17日 | |
特許 5239183 | SOIウェーハ及びその製造方法 | 2013年 7月17日 | |
特許 5233111 | 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 | 2013年 7月10日 | |
特許 5234526 | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ及びその製造方法 | 2013年 7月10日 | |
特許 5228671 | シリコン単結晶の育成方法 | 2013年 7月 3日 | |
特許 5228899 | シリコンの溶解方法、シリコン溶解装置及びシリコン単結晶製造装置 | 2013年 7月 3日 | |
特許 5228586 | 蒸着用マスク、ならびにそれを用いる蒸着パターン作製方法、半導体ウェーハ評価用試料の作製方法、半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2013年 7月 3日 |
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5252157 5251137 5250968 5245129 5246163 5246065 5239117 5240191 5239265 5239183 5233111 5234526 5228671 5228899 5228586
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