※ ログインすれば出願人(株式会社SUMCO)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2013年 出願公開件数ランキング 第585位 64件
(2012年:第289位 146件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第276位 144件
(2012年:第367位 99件)
(ランキング更新日:2025年5月30日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5228671 | シリコン単結晶の育成方法 | 2013年 7月 3日 | |
特許 5219334 | 半導体基板の製造方法および品質評価方法 | 2013年 6月26日 | |
特許 5218039 | 気相成長装置 | 2013年 6月26日 | |
特許 5223513 | 単結晶の製造方法 | 2013年 6月26日 | |
特許 5212144 | 枚葉式CVD用チャンバのクリーニング方法 | 2013年 6月19日 | |
特許 5217245 | シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 | 2013年 6月19日 | |
特許 5212472 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年 6月19日 | |
特許 5206613 | エピタキシャルウェーハ用サセプタ、およびその製造方法、並びにそれを用いたエピタキシャル成長装置 | 2013年 6月12日 | |
特許 5206282 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年 6月12日 | |
特許 5206120 | 金属の分析方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2013年 6月12日 | |
特許 5211550 | シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2013年 6月12日 | |
特許 5201083 | シリコン単結晶の育成方法及びシリコン半導体基板の製造方法 | 2013年 6月 5日 | |
特許 5201077 | シリコンウェーハの製造方法 | 2013年 6月 5日 | |
特許 5205810 | シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2013年 6月 5日 | |
特許 5205738 | シリコンウェーハの支持方法、熱処理治具および熱処理ウェーハ | 2013年 6月 5日 |
144 件中 91-105 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
5228671 5219334 5218039 5223513 5212144 5217245 5212472 5206613 5206282 5206120 5211550 5201083 5201077 5205810 5205738
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。株式会社SUMCOの知財の動向チェックに便利です。
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月5日(木) -
6月6日(金) -
6月10日(火) -
6月10日(火) -
6月11日(水) -
6月11日(水) -
6月12日(木) -
6月13日(金) -
6月13日(金) -
6月13日(金) -
6月10日(火) -
東京都港区新橋6-20-4 新橋パインビル5階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 訴訟 鑑定 コンサルティング
オーブ国際特許事務所(東京都)-ソフトウェア・電気電子分野専門
東京都千代田区飯田橋3-3-11新生ビル5階 特許・実用新案 商標 外国特許 鑑定
大阪府大阪市中央区南本町二丁目2番9号 辰野南本町ビル8階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング