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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第585位 64件
(2012年:第289位 146件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第276位 144件
(2012年:第367位 99件)
(ランキング更新日:2025年5月30日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5205738 | シリコンウェーハの支持方法、熱処理治具および熱処理ウェーハ | 2013年 6月 5日 | |
特許 5205737 | シリコンウェーハの保持方法および保持治具 | 2013年 6月 5日 | |
特許 5195370 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年 5月 8日 | |
特許 5195671 | シリコン単結晶の製造方法 | 2013年 5月 8日 | |
特許 5188673 | IGBT用のシリコンウェーハ及びその製造方法 | 2013年 4月24日 | |
特許 5182234 | シリコン単結晶の製造方法 | 2013年 4月17日 | |
特許 5176915 | シリコン単結晶の育成方法 | 2013年 4月 3日 | |
特許 5177290 | 固定砥粒加工装置及び固定砥粒加工方法、並びに、半導体ウェーハ製造方法 | 2013年 4月 3日 | |
特許 5170716 | 半導体ウェーハの研磨方法及び研磨パッド整形治具 | 2013年 3月27日 | |
特許 5169814 | シリコン単結晶の育成方法及びその方法で育成されたシリコン単結晶 | 2013年 3月27日 | |
特許 5168657 | 粒状シリコン製造方法およびその装置 | 2013年 3月21日 | |
特許 5167960 | シリコン単結晶の育成装置 | 2013年 3月21日 | |
特許 5167942 | シリコン単結晶の製造方法 | 2013年 3月21日 | |
特許 5163459 | シリコン単結晶の育成方法及びシリコンウェーハの検査方法 | 2013年 3月13日 | |
特許 5163386 | シリコン融液形成装置 | 2013年 3月13日 |
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5205738 5205737 5195370 5195671 5188673 5182234 5176915 5177290 5170716 5169814 5168657 5167960 5167942 5163459 5163386
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