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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第737位 41件 (2013年:第585位 64件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第212位 189件 (2013年:第276位 144件)
(ランキング更新日:2024年11月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5471070 | 単結晶インゴットの円筒研削方法 | 2014年 4月16日 | |
特許 5473878 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボの製造方法 | 2014年 4月16日 | |
特許 5472308 | エピタキシャルウェーハの製造方法および製造装置 | 2014年 4月16日 | |
特許 5470769 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2014年 4月16日 | |
特許 5471780 | ボロンドープp型シリコン中の鉄濃度測定方法およびボロンドープp型シリコンウェーハの製造方法 | 2014年 4月16日 | |
特許 5470839 | 貼り合わせシリコンウェーハの製造方法 | 2014年 4月16日 | |
特許 5470766 | 半導体デバイスの製造方法 | 2014年 4月16日 | |
特許 5467418 | 造粒シリカ粉の製造方法、シリカガラスルツボの製造方法 | 2014年 4月 9日 | |
特許 5464068 | エピタキシャル成長装置における内部部材の位置調整方法 | 2014年 4月 9日 | |
特許 5463943 | 画像データ処理方法および画像作成方法 | 2014年 4月 9日 | |
特許 5459804 | シリコン単結晶引き上げ用シリカガラスルツボの製造方法 | 2014年 4月 2日 | |
特許 5458857 | 洗浄方法 | 2014年 4月 2日 | |
特許 5458683 | レーザー散乱法を用いた半導体ウェーハの良品判定方法 | 2014年 4月 2日 | |
特許 5458599 | エピタキシャルシリコンウェーハ、およびその製造方法 | 2014年 4月 2日 | |
特許 5458525 | SOIウェーハの製造方法 | 2014年 4月 2日 |
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5471070 5473878 5472308 5470769 5471780 5470839 5470766 5467418 5464068 5463943 5459804 5458857 5458683 5458599 5458525
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11月25日(月) -
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11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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