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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第585位 64件
(2012年:第289位 146件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第276位 144件
(2012年:第367位 99件)
(ランキング更新日:2025年5月30日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5163386 | シリコン融液形成装置 | 2013年 3月13日 | |
特許 5160023 | シリコンウェーハ及びシリコンウェーハの製造方法 | 2013年 3月13日 | |
特許 5156446 | 気相成長装置用サセプタ | 2013年 3月 6日 | 共同出願 |
特許 5157075 | SIMOXウェーハの製造方法 | 2013年 3月 6日 | |
特許 5151777 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウェーハ | 2013年 2月27日 | |
特許 5150865 | シリコン単結晶インゴットの製造方法 | 2013年 2月27日 | |
特許 5152165 | シリコンウェーハの検査方法 | 2013年 2月27日 | |
特許 5151651 | 酸素イオン注入装置 | 2013年 2月27日 | |
特許 5146848 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年 2月20日 | |
特許 5145721 | シリコン単結晶の製造方法および製造装置 | 2013年 2月20日 | |
特許 5141020 | 多結晶シリコンの鋳造方法 | 2013年 2月13日 | |
特許 5141541 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年 2月13日 | |
特許 5141495 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコンウェーハ | 2013年 2月13日 | |
特許 5136518 | シリコン単結晶の育成方法 | 2013年 2月 6日 | |
特許 5136252 | シリコン単結晶の育成方法 | 2013年 2月 6日 |
144 件中 121-135 件を表示
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5163386 5160023 5156446 5157075 5151777 5150865 5152165 5151651 5146848 5145721 5141020 5141541 5141495 5136518 5136252
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