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信越半導体株式会社

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　■　2012年出願公開件数ランキング　　　第404位　100件（2011年：第330位　120件）

　■　2012年特許取得件数ランキング　　　第234位　161件（2011年：第254位　138件）

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特開 2012-222109	シリコン単結晶ウェーハの評価方法	2012年11月12日
特開 2012-219000	ヒーター出力制御方法及び単結晶製造装置	2012年11月12日
特開 2012-222294	貼り合わせウェーハの製造方法	2012年11月12日
特開 2012-218979	石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶の製造方法	2012年11月12日
特開 2012-218980	石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶の製造方法	2012年11月12日
特開 2012-222301	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	2012年11月12日
特開 2012-206876	ＳｉＣ成長装置	2012年10月25日
特開 2012-206875	ＳｉＣ成長装置	2012年10月25日
特開 2012-204369	エピタキシャルウェーハの製造方法	2012年10月22日	共同出願
特開 2012-202798	シリコンウェーハ中のＣｕ濃度評価方法	2012年10月22日
再表 2010-119614	アニールウエーハおよびアニールウエーハの製造方法ならびにデバイスの製造方法	2012年10月22日
特開 2012-204659	レーザーマークの評価方法	2012年10月22日
特開 2012-199299	ライフタイム値の測定方法及びこれを用いたウエーハの選別方法	2012年10月18日
特開 2012-188293	シリコン単結晶ウェーハ	2012年10月 4日
特開 2012-186204	化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子	2012年 9月27日

100 件中 16-30 件を表示

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2012-222109 2012-219000 2012-222294 2012-218979 2012-218980 2012-222301 2012-206876 2012-206875 2012-204369 2012-202798 2010-119614 2012-204659 2012-199299 2012-188293 2012-186204

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