信越半導体株式会社
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第330位 130件
（
2012年：第404位 100件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第255位 154件
（
2012年：第234位 161件）
（ランキング更新日：2025年6月6日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2013-147407 | シリコン単結晶ウエーハ、その酸素析出量の面内均一性評価方法、シリコン単結晶の製造方法 | 2013年 8月 1日 | |
| 特開 2013-147406 | シリコン単結晶の製造方法 | 2013年 8月 1日 | |
| 特開 2013-142047 | 石英ルツボ及びシリコン単結晶の製造方法 | 2013年 7月22日 | |
| 特開 2013-142054 | シリコン基板の製造方法 | 2013年 7月22日 | |
| 特開 2013-143504 | シリコン単結晶ウェーハの製造方法及び電子デバイス | 2013年 7月22日 | |
| 特開 2013-143407 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2013年 7月22日 | |
| 特開 2013-137205 | 膜厚分布測定方法 | 2013年 7月11日 | |
| 特開 2013-136122 | 研削装置及び研削方法 | 2013年 7月11日 | |
| 再表 2011-125305 | シリコンエピタキシャルウエーハ、シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法、及び半導体素子又は集積回路の製造方法 | 2013年 7月 8日 | |
| 特開 2013-131591 | 半導体基板の評価方法 | 2013年 7月 4日 | |
| 特開 2013-129046 | ワークの切断方法 | 2013年 7月 4日 | |
| 特開 2013-131617 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年 7月 4日 | |
| 特開 2013-129551 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | 2013年 7月 4日 | |
| 特開 2013-126926 | シリコン単結晶の製造方法 | 2013年 6月27日 | |
| 特開 2013-125909 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2013年 6月24日 |
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2013-147407 2013-147406 2013-142047 2013-142054 2013-143504 2013-143407 2013-137205 2013-136122 2011-125305 2013-131591 2013-129046 2013-131617 2013-129551 2013-126926 2013-125909
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