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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特開 2014-157889	シリコン基板の再結合ライフタイム測定方法	2014年 8月28日
特開 2014-156376	シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶ウェーハの製造方法	2014年 8月28日
特開 2014-151258	オゾン水分解方法及び洗浄装置	2014年 8月25日
特開 2014-150153	ウェーハ保持装置	2014年 8月21日	共同出願
特開 2014-150193	ＳＯＩウェーハの製造方法及びＳＯＩウェーハ	2014年 8月21日
特開 2014-148448	シリコン単結晶ウエーハおよびその評価方法ならびにシリコン単結晶棒の製造方法	2014年 8月21日
特開 2014-147993	ドレッシングプレート及びドレッシングプレートの製造方法	2014年 8月21日
特開 2014-144503	両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法	2014年 8月14日
特開 2014-146693	オゾン水を用いた洗浄方法及び洗浄装置	2014年 8月14日	共同出願
特開 2014-143228	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	2014年 8月 7日
特開 2014-138056	枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法	2014年 7月28日
特開 2014-138097	ＧｅＯＩウェーハの製造方法	2014年 7月28日
特開 2014-133282	ワイヤソーの運転再開方法	2014年 7月24日	共同出願
特開 2014-127685	半導体ウェーハの強度の評価方法及び評価装置	2014年 7月 7日
特開 2014-127595	偏芯評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法	2014年 7月 7日

122 件中 46-60 件を表示

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2014-157889 2014-156376 2014-151258 2014-150153 2014-150193 2014-148448 2014-147993 2014-144503 2014-146693 2014-143228 2014-138056 2014-138097 2014-133282 2014-127685 2014-127595

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