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信越半導体株式会社

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  2013年 出願公開件数ランキング    第330位 130件 上昇2012年:第404位 100件)

  2013年 特許取得件数ランキング    第255位 154件 下降2012年:第234位 161件)

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公報番号発明の名称公報発行日備考
特開 2013-110322 シリコン酸化膜の形成方法及び形成装置、並びにシリコンウェーハの研磨方法 2013年 6月 6日
特開 2013-110276 半導体基板の評価方法および評価用半導体基板 2013年 6月 6日
特開 2013-110359 気相成長装置の清浄度評価方法 2013年 6月 6日
特開 2013-105924 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 2013年 5月30日
特開 2013-105914 気相成長装置の清浄度評価方法 2013年 5月30日
特開 2013-95636 単結晶の製造方法 2013年 5月20日
特開 2013-94954 両面研磨方法 2013年 5月20日
特開 2013-93406 気相成長装置の清浄度評価方法 2013年 5月16日
特開 2013-91141 スラリー及びスラリーの製造方法 2013年 5月16日
特開 2013-89858 エピタキシャルウエーハ及びその製造方法 2013年 5月13日
特開 2013-89682 エピタキシャルウエーハの製造方法 2013年 5月13日
特開 2013-89720 剥離ウェーハの再生加工方法 2013年 5月13日
特開 2013-89835 有害物除去装置 2013年 5月13日
特開 2013-84663 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 2013年 5月 9日
特開 2013-84840 金属汚染評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 2013年 5月 9日

130 件中 76-90 件を表示

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2013-110322 2013-110276 2013-110359 2013-105924 2013-105914 2013-95636 2013-94954 2013-93406 2013-91141 2013-89858 2013-89682 2013-89720 2013-89835 2013-84663 2013-84840

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