信越半導体株式会社
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第404位 100件
（
2011年：第330位 120件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第234位 161件
（
2011年：第254位 138件）
（ランキング更新日：2025年5月30日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2012-23182 | シリコン基板の製造方法及びシリコン基板 | 2012年 2月 2日 | 共同出願 |
| 再表 2010-23829 | 研磨ヘッド及び研磨装置 | 2012年 1月26日 | 共同出願 |
| 特開 2012-12271 | 黒鉛ルツボ | 2012年 1月19日 | |
| 特開 2012-9581 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2012年 1月12日 | |
| 特開 2012-4284 | ＣＶＤ炉の清浄度評価方法及びエピタキシャル基板の製造方法 | 2012年 1月 5日 | |
| 特開 2012-1387 | 遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の制御方法、シリコン単結晶の製造方法 | 2012年 1月 5日 | |
| 特開 2012-1386 | 単結晶製造装置及び湯漏れ検出方法 | 2012年 1月 5日 | |
| 特開 2012-4439 | シリコンウエーハのＰＮ判定方法 | 2012年 1月 5日 | |
| 特開 2012-4438 | 熱衝撃耐性評価装置及び熱衝撃耐性の評価方法 | 2012年 1月 5日 | |
| 特開 2012-4387 | 貼り合わせウエーハの製造方法 | 2012年 1月 5日 |
100 件中 91-100 件を表示
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2012-23182 2010-23829 2012-12271 2012-9581 2012-4284 2012-1387 2012-1386 2012-4439 2012-4438 2012-4387
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