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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第313位 122件 (2013年:第330位 130件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第258位 155件 (2013年:第255位 154件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2014-82316 | SOIウェーハの製造方法 | 2014年 5月 8日 | |
特開 2014-78667 | シリコンエピタキシャルウェーハ及びそれを用いた固体撮像素子の製造方法 | 2014年 5月 1日 | |
特開 2014-75489 | ウェーハの評価方法及びウェーハの研磨方法 | 2014年 4月24日 | |
特開 2014-75453 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 4月24日 | |
特開 2014-73925 | シリコン単結晶育成装置及びシリコン単結晶育成方法 | 2014年 4月24日 | |
特開 2014-72477 | 半導体エピタキシャル製造装置のウェーハサポート、その製造方法、半導体エピタキシャル製造装置、及びその製造方法 | 2014年 4月21日 | 共同出願 |
特開 2014-67955 | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 | 2014年 4月17日 | |
特開 2014-63855 | 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 4月10日 | |
特開 2014-63894 | 研磨装置及びSOIウェーハの研磨方法 | 2014年 4月10日 | |
特開 2014-63878 | 研磨装置及びSOIウェーハの研磨方法 | 2014年 4月10日 | |
特開 2014-60219 | エピタキシャル成長装置 | 2014年 4月 3日 | |
特開 2014-50913 | 両面研磨方法 | 2014年 3月20日 | 共同出願 |
特開 2014-49699 | SOIウェーハの製造方法 | 2014年 3月17日 | |
特開 2014-45007 | 気相成長装置の汚染評価方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 3月13日 | |
特開 2014-43386 | シリコン単結晶の育成方法 | 2014年 3月13日 |
122 件中 91-105 件を表示
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2014-82316 2014-78667 2014-75489 2014-75453 2014-73925 2014-72477 2014-67955 2014-63855 2014-63894 2014-63878 2014-60219 2014-50913 2014-49699 2014-45007 2014-43386
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10月3日(木) - 東京 23区
10月4日(金) - 北海道 札幌市
10月3日(木) - 東京 23区
10月7日(月) -
10月7日(月) - 大阪 大阪市
10月8日(火) - 東京 品川
10月8日(火) - 東京 中央区
10月9日(水) - 東京 港
10月9日(水) -
10月10日(木) - 東京 港
10月10日(木) -
10月11日(金) -
10月11日(金) - 兵庫 神戸市
10月11日(金) -
10月11日(金) -
10月7日(月) -
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