信越半導体株式会社
※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2013年 出願公開件数ランキング 第330位 130件
（
2012年：第404位 100件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第255位 154件
（
2012年：第234位 161件）
（ランキング更新日：2025年5月30日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2013-18683 | 単結晶育成装置 | 2013年 1月31日 | |
| 特開 2013-21276 | 結晶欠陥の検出方法 | 2013年 1月31日 | |
| 再表 2011-27545 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2013年 1月31日 | |
| 特開 2013-16745 | イオン注入機の基板保持具の劣化判定方法 | 2013年 1月24日 | 共同出願 |
| 特開 2013-8869 | 半導体基板の評価方法 | 2013年 1月10日 | |
| 特開 2013-4928 | 研磨ヘッド、研磨装置及びワークの研磨方法 | 2013年 1月 7日 | |
| 特開 2013-4839 | シリコンウェーハの研磨方法 | 2013年 1月 7日 | |
| 特開 2013-4825 | シリコンウェーハ及びその製造方法 | 2013年 1月 7日 | |
| 特開 2013-4760 | 半導体ウェーハの洗浄方法 | 2013年 1月 7日 | |
| 特開 2013-4647 | 半導体素子 | 2013年 1月 7日 |
130 件中 121-130 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
2013-18683 2013-21276 2011-27545 2013-16745 2013-8869 2013-4928 2013-4839 2013-4825 2013-4760 2013-4647
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月5日(木) -
6月6日(金) -
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
〒106-6111 東京都港区六本木6丁目10番1号 六本木ヒルズ森タワー 11階 横浜駅前オフィス： 〒220-0004 神奈川県横浜市西区北幸１丁目１１ー１ 水信ビル ７階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
愛知県名古屋市天白区中平三丁目2702番地 グランドールＳ 203号 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
〒243-0021 神奈川県厚木市岡田３０５０ 厚木アクストメインタワー３階Ｂ－１ 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
