信越半導体株式会社
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第330位 130件
（
2012年：第404位 100件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第255位 154件
（
2012年：第234位 161件）
（ランキング更新日：2024年11月26日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2013-18683 | 単結晶育成装置 | 2013年 1月31日 | |
| 特開 2013-21276 | 結晶欠陥の検出方法 | 2013年 1月31日 | |
| 再表 2011-27545 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2013年 1月31日 | |
| 特開 2013-16745 | イオン注入機の基板保持具の劣化判定方法 | 2013年 1月24日 | 共同出願 |
| 特開 2013-8869 | 半導体基板の評価方法 | 2013年 1月10日 | |
| 特開 2013-4928 | 研磨ヘッド、研磨装置及びワークの研磨方法 | 2013年 1月 7日 | |
| 特開 2013-4839 | シリコンウェーハの研磨方法 | 2013年 1月 7日 | |
| 特開 2013-4825 | シリコンウェーハ及びその製造方法 | 2013年 1月 7日 | |
| 特開 2013-4760 | 半導体ウェーハの洗浄方法 | 2013年 1月 7日 | |
| 特開 2013-4647 | 半導体素子 | 2013年 1月 7日 |
130 件中 121-130 件を表示
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2013-18683 2013-21276 2011-27545 2013-16745 2013-8869 2013-4928 2013-4839 2013-4825 2013-4760 2013-4647
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