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信越半導体株式会社

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  2011年 出願公開件数ランキング    第330位 120件 下降2010年:第311位 147件)

  2011年 特許取得件数ランキング    第254位 138件 上昇2010年:第270位 113件)

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公報番号発明の名称公報発行日備考
特許 4848947 半導体基板の評価方法および半導体基板評価用素子 2011年12月28日
特許 4848974 黒鉛ルツボおよびこれを備えたシリコン単結晶製造装置 2011年12月28日
特許 4849083 単結晶引上げ装置 2011年12月28日
特許 4846915 貼り合わせウェーハの製造方法 2011年12月28日 共同出願
特許 4840629 シリコンウェーハの評価方法 2011年12月21日
特許 4839836 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 2011年12月21日
特許 4839818 貼り合わせ基板の製造方法 2011年12月21日
特許 4833355 研磨ヘッド及び研磨装置 2011年12月 7日 共同出願
特許 4831203 半導体単結晶の製造方法および半導体単結晶の製造装置 2011年12月 7日
特許 4832727 太陽電池の製造方法及び太陽電池 2011年12月 7日 共同出願
特許 4830290 直接接合ウェーハの製造方法 2011年12月 7日
特許 4826994 SOIウェーハの製造方法 2011年11月30日
特許 4826070 半導体ウエーハの熱処理方法 2011年11月30日
特許 4826475 半導体ウェーハの製造方法 2011年11月30日
特許 4826993 p型シリコン単結晶ウェーハの製造方法 2011年11月30日

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4848947 4848974 4849083 4846915 4840629 4839836 4839818 4833355 4831203 4832727 4830290 4826994 4826070 4826475 4826993

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