信越半導体株式会社
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第404位 100件
（
2011年：第330位 120件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第234位 161件
（
2011年：第254位 138件）
（ランキング更新日：2025年5月12日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4894351 | 半導体基板の評価方法 | 2012年 3月14日 | |
| 特許 4894104 | シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度測定方法 | 2012年 3月14日 | |
| 特許 4893441 | 単結晶取出し装置 | 2012年 3月 7日 | |
| 特許 4893414 | 載置台整準方法及び載置台整準装置 | 2012年 3月 7日 | |
| 特許 4888242 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2012年 2月29日 | |
| 特許 4888632 | 結晶欠陥の評価方法 | 2012年 2月29日 | |
| 特許 4885064 | ウェーハキャリヤおよびそれを使用したウェーハエッチング方法 | 2012年 2月29日 | 共同出願 |
| 特許 4883020 | 単結晶製造装置および製造方法 | 2012年 2月22日 | |
| 特許 4881539 | 単結晶の製造方法及び単結晶 | 2012年 2月22日 | |
| 特許 4876937 | ウエーハ上への薄膜の気相成長法およびウエーハ上への薄膜の気相成長装置 | 2012年 2月15日 | |
| 特許 4874754 | 被加熱物の熱処理方法 | 2012年 2月15日 | 共同出願 |
| 特許 4873381 | 発光素子の製造方法、化合物半導体ウェーハ及び発光素子 | 2012年 2月 8日 | |
| 特許 4869622 | 貼り合わせウエーハの製造方法及びそれに用いる剥離用治具 | 2012年 2月 8日 | 共同出願 |
| 特許 4862896 | シリコンウエーハの面取り装置およびシリコンウエーハの製造方法ならびにエッチドシリコンウエーハ | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4862884 | シリコン単結晶の製造方法 | 2012年 1月25日 |
161 件中 136-150 件を表示
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4894351 4894104 4893441 4893414 4888242 4888632 4885064 4883020 4881539 4876937 4874754 4873381 4869622 4862896 4862884
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