信越半導体株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第330位 120件
（
2010年：第311位 147件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第254位 138件
（
2010年：第270位 113件）
（ランキング更新日：2025年5月28日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4821948 | ＳＯＩ層の拡がり抵抗測定方法およびＳＯＩチップ | 2011年11月24日 | |
| 特許 4816511 | 切断方法およびワイヤソー装置 | 2011年11月16日 | |
| 特許 4816856 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2011年11月16日 | |
| 特許 4815711 | ガス供給方法およびガス供給装置 | 2011年11月16日 | |
| 特許 4815801 | シリコンウエーハの研磨方法および製造方法および円板状ワークの研磨装置ならびにシリコンウエーハ | 2011年11月16日 | |
| 特許 4808994 | 太陽電池の製造方法 | 2011年11月 2日 | 共同出願 |
| 特許 4809018 | 太陽電池 | 2011年11月 2日 | 共同出願 |
| 特許 4802624 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2011年10月26日 | |
| 特許 4797576 | 結晶欠陥の評価方法 | 2011年10月19日 | |
| 特許 4792672 | ノッチ検査方法およびノッチ検査装置 | 2011年10月12日 | |
| 特許 4792903 | 半導体ウエーハの製造方法及び半導体インゴットの切断位置決定システム | 2011年10月12日 | |
| 特許 4791306 | 切断方法 | 2011年10月12日 | 共同出願 |
| 特許 4784287 | シリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法 | 2011年10月 5日 | |
| 特許 4788029 | 半導体単結晶の製造装置及びそれを用いた半導体単結晶の製造方法 | 2011年10月 5日 | |
| 特許 4784904 | 液相成長装置及びそれを使用する液相成長方法 | 2011年10月 5日 |
138 件中 16-30 件を表示
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4821948 4816511 4816856 4815711 4815801 4808994 4809018 4802624 4797576 4792672 4792903 4791306 4784287 4788029 4784904
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