信越半導体株式会社
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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第313位 122件
（
2013年：第330位 130件）
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第258位 155件
（
2013年：第255位 154件）
（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5617812 | シリコン単結晶ウエーハ、エピタキシャルウエーハ、及びそれらの製造方法 | 2014年11月 5日 | |
| 特許 5618098 | Ｃ−Ｖ特性測定方法 | 2014年11月 5日 | |
| 特許 5614394 | 気相成長装置の清浄度評価方法 | 2014年10月29日 | |
| 特許 5614243 | シリコンエピタキシャルウェーハの評価方法 | 2014年10月29日 | |
| 特許 5614397 | 両面研磨方法 | 2014年10月29日 | |
| 特許 5614314 | ＧａＮ自立基板の製造方法 | 2014年10月29日 | |
| 特許 5614390 | シリコンウェーハのニッケル濃度測定方法 | 2014年10月29日 | |
| 特許 5609755 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年10月22日 | |
| 特許 5605260 | インサート材及び両面研磨装置 | 2014年10月15日 | |
| 特許 5604907 | 気相成長用半導体基板支持サセプタおよびエピタキシャルウェーハ製造装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年10月15日 | |
| 特許 5598454 | 有害物除去装置 | 2014年10月 1日 | |
| 特許 5598607 | シリコンウェーハの研磨方法及び研磨剤 | 2014年10月 1日 | |
| 特許 5598318 | 発光素子の製造方法 | 2014年10月 1日 | |
| 特許 5594273 | スラリー及びスラリーの製造方法 | 2014年 9月24日 | |
| 特許 5594257 | 単結晶製造方法 | 2014年 9月24日 |
155 件中 16-30 件を表示
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5617812 5618098 5614394 5614243 5614397 5614314 5614390 5609755 5605260 5604907 5598454 5598607 5598318 5594273 5594257
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