信越半導体株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第330位 120件
（
2010年：第311位 147件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第254位 138件
（
2010年：第270位 113件）
（ランキング更新日：2025年3月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4784287 | シリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法 | 2011年10月 5日 | |
| 特許 4784192 | シリコンウエーハの評価方法 | 2011年10月 5日 | |
| 特許 4781649 | 熱処理用ボート | 2011年 9月28日 | 共同出願 |
| 特許 4781020 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボおよびシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボの製造方法 | 2011年 9月28日 | 共同出願 |
| 特許 4781948 | 太陽電池電極用検査装置及び太陽電池電極の検査方法 | 2011年 9月28日 | 共同出願 |
| 特許 4780142 | ウェーハの製造方法 | 2011年 9月28日 | |
| 特許 4775343 | 石英ルツボ及び多結晶シリコンの回収方法およびその装置 | 2011年 9月21日 | |
| 特許 4775680 | シリコン結晶中の結晶欠陥観察用試料作製方法及び薄片試料 | 2011年 9月21日 | |
| 特許 4775594 | 単結晶引上装置の湯漏れ検出方法および単結晶引上装置 | 2011年 9月21日 | |
| 特許 4770776 | ルツボ内残融液の固化方法 | 2011年 9月14日 | |
| 特許 4764693 | 半導体ウェーハの製造方法及び両頭研削装置 | 2011年 9月 7日 | 共同出願 |
| 特許 4765949 | 半導体基板のＰ汚染評価方法 | 2011年 9月 7日 | |
| 特許 4761179 | ウェーハ表面に吸着したボロン濃度の測定方法及び環境雰囲気中のボロンレベルの評価方法 | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4756884 | 半導体ウエーハ用の研磨ヘッド及び研磨装置並びに研磨方法 | 2011年 8月24日 | 共同出願 |
| 特許 4752475 | 半導体ウェーハの両頭研削装置、静圧パッドおよびこれを用いた両頭研削方法 | 2011年 8月17日 |
138 件中 31-45 件を表示
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4784287 4784192 4781649 4781020 4781948 4780142 4775343 4775680 4775594 4770776 4764693 4765949 4761179 4756884 4752475
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