信越半導体株式会社
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第330位 130件
（
2012年：第404位 100件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第255位 154件
（
2012年：第234位 161件）
（ランキング更新日：2024年11月22日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5321430 | シリコンウェーハ研磨用研磨剤およびシリコンウェーハの研磨方法 | 2013年10月23日 | |
| 特許 5321401 | シリコン酸化物除去装置及びシリコン単結晶製造装置の不活性ガス回収設備 | 2013年10月23日 | |
| 特許 5316487 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年10月16日 | |
| 特許 5315944 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年10月16日 | |
| 特許 5315899 | 発光素子 | 2013年10月16日 | |
| 特許 5314838 | 剥離ウェーハを再利用する方法 | 2013年10月16日 | |
| 特許 5315897 | シリコンウエーハの評価方法及びシリコンウエーハの製造方法 | 2013年10月16日 | |
| 特許 5309971 | 発光素子 | 2013年10月 9日 | |
| 特許 5309949 | 化合物半導体基板および発光素子ならびに化合物半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法 | 2013年10月 9日 | |
| 特許 5310004 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2013年10月 9日 | |
| 特許 5310369 | エピタキシャルウェーハおよび発光ダイオード | 2013年10月 9日 | |
| 特許 5310259 | 研磨装置およびワークの研磨方法 | 2013年10月 9日 | |
| 特許 5304439 | 砥石選別方法 | 2013年10月 2日 | |
| 特許 5304477 | シリコンウェーハのエッチング方法 | 2013年10月 2日 | |
| 特許 5303491 | 研磨ヘッド及び研磨装置 | 2013年10月 2日 | 共同出願 |
154 件中 31-45 件を表示
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5321430 5321401 5316487 5315944 5315899 5314838 5315897 5309971 5309949 5310004 5310369 5310259 5304439 5304477 5303491
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