信越半導体株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第330位 120件
（
2010年：第311位 147件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第254位 138件
（
2010年：第270位 113件）
（ランキング更新日：2025年2月27日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4753075 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 8月17日 | |
| 特許 4748968 | 半導体ウエーハの製造方法 | 2011年 8月17日 | 共同出願 |
| 特許 4743611 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 8月10日 | |
| 特許 4742573 | 半導体基板の評価方法及び半導体基板評価用素子 | 2011年 8月10日 | |
| 特許 4742845 | 半導体ウエーハの面取り部の加工方法及び砥石の溝形状の修正方法 | 2011年 8月10日 | |
| 特許 4743661 | 発光素子の製造方法及び発光素子 | 2011年 8月10日 | |
| 特許 4735794 | 発光モジュール | 2011年 7月27日 | |
| 特許 4737105 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | 2011年 7月27日 | |
| 特許 4736269 | シリンダ型気相成長装置 | 2011年 7月27日 | |
| 特許 4730581 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2011年 7月20日 | |
| 特許 4723071 | シリコン結晶及びシリコン結晶ウエーハ並びにその製造方法 | 2011年 7月13日 | 共同出願 |
| 特許 4723082 | Ｇａドープシリコン単結晶の製造方法 | 2011年 7月13日 | 共同出願 |
| 特許 4720692 | 気相成長用サセプタ、気相成長装置及び気相成長方法 | 2011年 7月13日 | |
| 特許 4725752 | 単結晶の製造方法 | 2011年 7月13日 | |
| 特許 4723079 | 石英ルツボおよびこれを使用したシリコン結晶の製造方法 | 2011年 7月13日 | 共同出願 |
138 件中 46-60 件を表示
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4753075 4748968 4743611 4742573 4742845 4743661 4735794 4737105 4736269 4730581 4723071 4723082 4720692 4725752 4723079
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