信越半導体株式会社
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第404位 100件
（
2011年：第330位 120件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第234位 161件
（
2011年：第254位 138件）
（ランキング更新日：2025年4月15日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5042778 | ワーク研磨用ヘッド及びこの研磨ヘッドを備えた研磨装置 | 2012年10月 3日 | 共同出願 |
| 特許 5028354 | ウェーハの研磨方法 | 2012年 9月19日 | 共同出願 |
| 特許 5029340 | エピタキシャル成長方法 | 2012年 9月19日 | |
| 特許 5029637 | 半導体単結晶の製造方法 | 2012年 9月19日 | |
| 特許 5029661 | 半導体装置の製造方法 | 2012年 9月19日 | |
| 特許 5024224 | シリコン基板の評価方法、汚染検出方法及びエピタキシャル基板の製造方法 | 2012年 9月12日 | |
| 特許 5023970 | インゴット切断装置 | 2012年 9月12日 | |
| 特許 5024382 | サセプタ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2012年 9月12日 | |
| 特許 5018053 | 半導体ウエーハの評価方法 | 2012年 9月 5日 | |
| 特許 5019160 | 発光素子の製造方法 | 2012年 9月 5日 | |
| 特許 5018741 | 半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの評価装置 | 2012年 9月 5日 | |
| 特許 5017946 | ＳＯＩウエーハの評価方法 | 2012年 9月 5日 | |
| 特許 5018682 | シリコン基板の評価方法、汚染検出方法及びエピタキシャル基板の製造方法 | 2012年 9月 5日 | |
| 特許 5018066 | 歪Ｓｉ基板の製造方法 | 2012年 9月 5日 | |
| 特許 5010797 | 熱処理用縦型ボート及びその製造方法 | 2012年 8月29日 |
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5042778 5028354 5029340 5029637 5029661 5024224 5023970 5024382 5018053 5019160 5018741 5017946 5018682 5018066 5010797
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