信越半導体株式会社
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第330位 130件
（
2012年：第404位 100件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第255位 154件
（
2012年：第234位 161件）
（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5304477 | シリコンウェーハのエッチング方法 | 2013年10月 2日 | |
| 特許 5304206 | 単結晶の製造方法および単結晶の製造装置 | 2013年10月 2日 | |
| 特許 5301758 | 太陽電池 | 2013年 9月25日 | 共同出願 |
| 特許 5298700 | シリコンウェーハの製造方法 | 2013年 9月25日 | |
| 特許 5299359 | エピタキシャル成長装置 | 2013年 9月25日 | |
| 特許 5293625 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶の製造装置 | 2013年 9月18日 | |
| 特許 5292810 | ＳＯＩ基板の製造方法 | 2013年 9月18日 | |
| 特許 5293615 | 単結晶製造装置 | 2013年 9月18日 | |
| 特許 5287467 | 発光素子の製造方法 | 2013年 9月11日 | |
| 特許 5280015 | ＳＯＩ基板の製造方法 | 2013年 9月 4日 | 共同出願 |
| 特許 5282762 | シリコン単結晶の製造方法 | 2013年 9月 4日 | |
| 特許 5282702 | 外観検査装置 | 2013年 9月 4日 | |
| 特許 5282413 | 歪みシリコン層が形成されたシリコンウェーハの製造方法 | 2013年 9月 4日 | |
| 特許 5278323 | 高輝度発光ダイオードの製造方法 | 2013年 9月 4日 | |
| 特許 5282440 | 評価用ウェーハ及び両面研磨の研磨代の評価方法 | 2013年 9月 4日 |
154 件中 46-60 件を表示
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5304477 5304206 5301758 5298700 5299359 5293625 5292810 5293615 5287467 5280015 5282762 5282702 5282413 5278323 5282440
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