信越半導体株式会社
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第404位 100件
（
2011年：第330位 120件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第234位 161件
（
2011年：第254位 138件）
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5013238 | 半導体多層構造 | 2012年 8月29日 | |
| 特許 5011608 | 高融点金属膜付シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法並びにシリコン単結晶中の不純物ゲッタリング方法 | 2012年 8月29日 | |
| 特許 5007596 | 単結晶の成長方法および単結晶の引き上げ装置 | 2012年 8月22日 | |
| 特許 5003987 | サンプルウェーハの検査方法及び検査装置並びに検査装置の管理方法 | 2012年 8月22日 | |
| 特許 5007706 | ワークの切断方法 | 2012年 8月22日 | |
| 特許 5007682 | 円筒研削装置および研削方法 | 2012年 8月22日 | |
| 特許 5007620 | シリコン単結晶ウェーハの結晶欠陥の検出方法 | 2012年 8月22日 | |
| 特許 4998340 | 薄膜半導体基板の製造方法 | 2012年 8月15日 | |
| 特許 4998241 | ワイヤソーによるワークの切断方法およびワイヤソー | 2012年 8月15日 | |
| 特許 5003294 | 切断方法 | 2012年 8月15日 | |
| 特許 5002111 | 単結晶の製造方法及び原料結晶の管理方法並びに管理システム | 2012年 8月15日 | |
| 特許 5003434 | デバイス形成用ウエーハの評価方法 | 2012年 8月15日 | |
| 特許 4998246 | 半導体基板支持治具及びその製造方法。 | 2012年 8月15日 | |
| 特許 5003322 | ＳＯＩウェーハの評価方法 | 2012年 8月15日 | |
| 特許 4998396 | 発光素子の製造方法 | 2012年 8月15日 |
161 件中 61-75 件を表示
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5013238 5011608 5007596 5003987 5007706 5007682 5007620 4998340 4998241 5003294 5002111 5003434 4998246 5003322 4998396
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